Samsung-ը ԱԲ չիպերի պահանջարկի ֆոնին շուտ կգործարկի նոր գործարանը
Samsung Electronics-ը ծրագրում է Yongin-ի չիպային կլաստերի առաջին գործարանի աշխատանքները սկսել 2029 թվականին՝ նախնական ժամանակացույցից մեկ-երկու տարի շուտ։
Ինչպես հաղորդում է Yonhap-ը՝ վկայակոչելով սեփական աղբյուրները, նախագծի ժամկետների արագացումը պայմանավորված է Yongin ազգային արդյունաբերական համալիրի զարգացման պետական ծրագրի ակտիվացմամբ, որը պետք է վերածվի Հարավային Կորեայում առաջադեմ միկրոսխեմաների արտադրության գլխավոր կենտրոններից մեկի։
Սեուլի մոտակայքում գտնվող այս հարթակում Samsung-ը մտադիր է կառուցել կիսահաղորդիչների արտադրության վեց ձեռնարկություն։ Առաջին գործարանի աշխատանքների ավելի վաղ մեկնարկը ընկերությանը հնարավորություն կտա ավելի արագ արձագանքել արհեստական բանականության համար նախատեսված չիպերի նկատմամբ աճող համաշխարհային պահանջարկին։
«Առաջին ձեռնարկության աշխատանքի ավելի վաղ մեկնարկը Samsung-ին թույլ կտա ավելի արագ արձագանքել ԱԲ չիպերի նկատմամբ կտրուկ աճող համաշխարհային պահանջարկին», — հայտարարել է ոլորտի ներկայացուցիչը։
Ավելի վաղ Samsung-ը տեղեկացրել էր լայնածավալ ներդրումային ծրագրի մասին. ընկերությունը նախատեսում է շուրջ 2,03 կվադրիլիոն վոն (1,35 տրլն դոլար) ներդնել Պյոնթհեքում և Յոնգինում կիսահաղորդչային կլաստերների զարգացման մեջ, ինչպես նաև ևս 400 տրլն վոն ներդնել Կվանջու քաղաքում երկու նոր գործարանի կառուցման համար։
Նմանատիպ հոդվածներ
IMEI կոդերի պարտադիր գրանցում. Տնտեսական «սպիտակեցո՞ւմ», թե՞ տոտալ թվային վերահսկողություն
Auroranews.am-ի վերլուծություններով Հայաստանի կառավարությունը նախապատրաստում է բջջային հեռախոսների շուկայի ար...
Ռուսաստանում բարձրանում է հասարակական տրանսպորտի ուղեվարձը
Վառելիքի դեֆիցիտով պայմանավորված երթուղիների կրճատումներից և աշխատանքային սահմանափակումներից հետո ՌԴ մարզերում սկսվել է...
Մեռելոց օրերը կրկին կսահմանվեն ոչ աշխատանքային. ԱԺ-ն ընդունել է օրինագիծը
Ազգային ժողովն ընդունեց տոնացույցում փոփոխություններ կատարելու նախագիծը Խորհրդարանը հուլիսի 3-ին երկրորդ ընթերցմամբ և ամ...
Էյֆելյան աշտարակը 10 սմ-ով երկարել է
Ուժեղ տապի ժամանակ մետաղական կոնստրուկցիան ընդարձակվում է՝ ջերմաստիճանի յուրաքանչյուր 10 °C բարձրացման դեպքում մոտավորապ...